SONYSR5E硬盤攝像機(jī)為什么使用數(shù)碼攝像機(jī)感光元件CMOS而不是CCD、
補(bǔ)充說明: 數(shù)碼相機(jī)使用CMOS的成像質(zhì)量都不太好,為什么SONE早期的DV如SR62、SR82E都使用3CCD,而更新的SR5E卻使用CMOS?
這里要糾正一下你的觀念,
在人們的意識里,感覺CMOS要比CCD成像質(zhì)量低,其實這是不正確的,
由于CMOS工藝發(fā)展較早,而CCD起步比較晚,早期的技術(shù)是在不斷摸索中
前進(jìn)的,所以只是這樣比較是不科學(xué)的,詳細(xì)的看下面:
CCD或CMOS,基本上兩者都是利用矽感光二極體(photodiode)進(jìn)行光與電的轉(zhuǎn)換。這種轉(zhuǎn)換的原理與各位手上具備“太陽電能”電子計算機(jī)的“太陽能電池”效應(yīng)相近,光線越強(qiáng)、電力越強(qiáng);反之,光線越弱、電力也越弱的道理,將光影像轉(zhuǎn)換為電子數(shù)字信號。
比較CCD和CMOS的結(jié)構(gòu),ADC的位置和數(shù)量是最大的不同。簡單的說,按我們在上一講“CCD感光元件的工作原理(上)”中所提之內(nèi)容。CCD每曝光一次,在快門關(guān)閉后進(jìn)行像素轉(zhuǎn)移處理,將每一行中每一個像素(pixel)的電荷信號依序傳入“緩沖器”中,由底端的線路引導(dǎo)輸出至CCD旁的放大器進(jìn)行放大,再串聯(lián)ADC輸出;相對地,CMOS的設(shè)計中每個像素旁就直接連著ADC(放大兼類比數(shù)字信號轉(zhuǎn)換器),訊號直接放大并轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號。
兩者優(yōu)缺點的比較
CCDCMOS
設(shè)計單一感光器感光器連接放大器
靈敏度同樣面積下高感光開口小,靈敏度低
成本線路品質(zhì)影響程度高,成本高CMOS整合集成,成本低
解析度連接復(fù)雜度低,解析度高低,新技術(shù)高
噪點比單一放大,噪點低百萬放大,噪點高
功耗比需外加電壓,功耗高直接放大,功耗低
由于構(gòu)造上的基本差異,我們可以表列出兩者在性能上的表現(xiàn)之不同。CCD的特色在于充分保持信號在傳輸時不失真(專屬通道設(shè)計),透過每一個像素集合至單一放大器上再做統(tǒng)一處理,可以保持資料的完整性;CMOS的制程較簡單,沒有專屬通道的設(shè)計,因此必須先行放大再整合各個像素的資料。
整體來說,CCD與CMOS兩種設(shè)計的應(yīng)用,反應(yīng)在成像效果上,形成包括ISO感光度、制造成本、解析度、噪點與耗電量等,不同類型的差異:
ISO感光度差異:由于CMOS每個像素包含了放大器與A/D轉(zhuǎn)換電路,過多的額外設(shè)備壓縮單一像素的感光區(qū)域的表面積,因此相同像素下,同樣大小之感光器尺寸,CMOS的感光度會低于CCD。
成本差異:CMOS應(yīng)用半導(dǎo)體工業(yè)常用的MOS制程,可以一次整合全部周邊設(shè)施于單晶片中,節(jié)省加工晶片所需負(fù)擔(dān)的成本和良率的損失;相對地CCD采用電荷傳遞的方式輸出資訊,必須另辟傳輸通道,如果通道中有一個像素故障(Fail),就會導(dǎo)致一整排的訊號壅塞,無法傳遞,因此CCD的良率比CMOS低,加上另辟傳輸通道和外加ADC等周邊,CCD的制造成本相對高于CMOS。
解析度差異:在第一點“感光度差異”中,由于CMOS每個像素的結(jié)構(gòu)比CCD復(fù)雜,其感光開口不及CCD大,相對比較相同尺寸的CCD與CMOS感光器時,CCD感光器的解析度通常會優(yōu)于CMOS。不過,如果跳脫尺寸限制,目前業(yè)界的CMOS感光原件已經(jīng)可達(dá)到1400萬像素/全片幅的設(shè)計,CMOS技術(shù)在量率上的優(yōu)勢可以克服大尺寸感光原件制造上的困難,特別是全片幅24mm-by-36mm這樣的大小。
噪點差異:由于CMOS每個感光二極體旁都搭配一個ADC放大器,如果以百萬像素計,那么就需要百萬個以上的ADC放大器,雖然是統(tǒng)一制造下的產(chǎn)品,但是每個放大器或多或少都有些微的差異存在,很難達(dá)到放大同步的效果,對比單一個放大器的CCD,CMOS最終計算出的噪點就比較多。
耗電量差異:CMOS的影像電荷驅(qū)動方式為主動式,感光二極體所產(chǎn)生的電荷會直接由旁邊的電晶體做放大輸出;但CCD卻為被動式,必須外加電壓讓每個像素中的電荷移動至傳輸通道。而這外加電壓通常需要12伏特(V)以上的水平,因此CCD還必須要有更精密的電源線路設(shè)計和耐壓強(qiáng)度,高驅(qū)動電壓使CCD的電量遠(yuǎn)高于CMOS。
盡管CCD在影像品質(zhì)等各方面均優(yōu)于CMOS,但不可否認(rèn)的CMOS具有低成本、低耗電以及高整合度的特性。由于數(shù)碼影像的需求熱烈,CMOS的低成本和穩(wěn)定供貨,成為廠商的最愛,也因此其制造技術(shù)不斷地改良更新,使得CCD與CMOS兩者的差異逐漸縮小。新一代的CCD朝向耗電量減少作為改進(jìn)目標(biāo),以期進(jìn)入照相手機(jī)的行動通訊市場;CMOS系列,則開始朝向大尺寸面積與高速影像處理晶片統(tǒng)合,藉由后續(xù)的影像處理修正噪點以及畫質(zhì)表現(xiàn),特別是Canon系列的EOSD30、EOS300D的成功,足見高速影像處理晶片已經(jīng)可以勝任高像素CMOS所產(chǎn)生的影像處理時間與能力的縮短;另外,大尺寸全片幅則以KodakDCSPro14n、DCSPro/n、DCSPro/c這一系列的數(shù)碼機(jī)身為號召,CMOS未來跨足高階的影像市場產(chǎn)品,前景可期。
在人們的意識里,感覺CMOS要比CCD成像質(zhì)量低,其實這是不正確的,
由于CMOS工藝發(fā)展較早,而CCD起步比較晚,早期的技術(shù)是在不斷摸索中
前進(jìn)的,所以只是這樣比較是不科學(xué)的,詳細(xì)的看下面:
CCD或CMOS,基本上兩者都是利用矽感光二極體(photodiode)進(jìn)行光與電的轉(zhuǎn)換。這種轉(zhuǎn)換的原理與各位手上具備“太陽電能”電子計算機(jī)的“太陽能電池”效應(yīng)相近,光線越強(qiáng)、電力越強(qiáng);反之,光線越弱、電力也越弱的道理,將光影像轉(zhuǎn)換為電子數(shù)字信號。
比較CCD和CMOS的結(jié)構(gòu),ADC的位置和數(shù)量是最大的不同。簡單的說,按我們在上一講“CCD感光元件的工作原理(上)”中所提之內(nèi)容。CCD每曝光一次,在快門關(guān)閉后進(jìn)行像素轉(zhuǎn)移處理,將每一行中每一個像素(pixel)的電荷信號依序傳入“緩沖器”中,由底端的線路引導(dǎo)輸出至CCD旁的放大器進(jìn)行放大,再串聯(lián)ADC輸出;相對地,CMOS的設(shè)計中每個像素旁就直接連著ADC(放大兼類比數(shù)字信號轉(zhuǎn)換器),訊號直接放大并轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號。
兩者優(yōu)缺點的比較
CCDCMOS
設(shè)計單一感光器感光器連接放大器
靈敏度同樣面積下高感光開口小,靈敏度低
成本線路品質(zhì)影響程度高,成本高CMOS整合集成,成本低
解析度連接復(fù)雜度低,解析度高低,新技術(shù)高
噪點比單一放大,噪點低百萬放大,噪點高
功耗比需外加電壓,功耗高直接放大,功耗低
由于構(gòu)造上的基本差異,我們可以表列出兩者在性能上的表現(xiàn)之不同。CCD的特色在于充分保持信號在傳輸時不失真(專屬通道設(shè)計),透過每一個像素集合至單一放大器上再做統(tǒng)一處理,可以保持資料的完整性;CMOS的制程較簡單,沒有專屬通道的設(shè)計,因此必須先行放大再整合各個像素的資料。
整體來說,CCD與CMOS兩種設(shè)計的應(yīng)用,反應(yīng)在成像效果上,形成包括ISO感光度、制造成本、解析度、噪點與耗電量等,不同類型的差異:
ISO感光度差異:由于CMOS每個像素包含了放大器與A/D轉(zhuǎn)換電路,過多的額外設(shè)備壓縮單一像素的感光區(qū)域的表面積,因此相同像素下,同樣大小之感光器尺寸,CMOS的感光度會低于CCD。
成本差異:CMOS應(yīng)用半導(dǎo)體工業(yè)常用的MOS制程,可以一次整合全部周邊設(shè)施于單晶片中,節(jié)省加工晶片所需負(fù)擔(dān)的成本和良率的損失;相對地CCD采用電荷傳遞的方式輸出資訊,必須另辟傳輸通道,如果通道中有一個像素故障(Fail),就會導(dǎo)致一整排的訊號壅塞,無法傳遞,因此CCD的良率比CMOS低,加上另辟傳輸通道和外加ADC等周邊,CCD的制造成本相對高于CMOS。
解析度差異:在第一點“感光度差異”中,由于CMOS每個像素的結(jié)構(gòu)比CCD復(fù)雜,其感光開口不及CCD大,相對比較相同尺寸的CCD與CMOS感光器時,CCD感光器的解析度通常會優(yōu)于CMOS。不過,如果跳脫尺寸限制,目前業(yè)界的CMOS感光原件已經(jīng)可達(dá)到1400萬像素/全片幅的設(shè)計,CMOS技術(shù)在量率上的優(yōu)勢可以克服大尺寸感光原件制造上的困難,特別是全片幅24mm-by-36mm這樣的大小。
噪點差異:由于CMOS每個感光二極體旁都搭配一個ADC放大器,如果以百萬像素計,那么就需要百萬個以上的ADC放大器,雖然是統(tǒng)一制造下的產(chǎn)品,但是每個放大器或多或少都有些微的差異存在,很難達(dá)到放大同步的效果,對比單一個放大器的CCD,CMOS最終計算出的噪點就比較多。
耗電量差異:CMOS的影像電荷驅(qū)動方式為主動式,感光二極體所產(chǎn)生的電荷會直接由旁邊的電晶體做放大輸出;但CCD卻為被動式,必須外加電壓讓每個像素中的電荷移動至傳輸通道。而這外加電壓通常需要12伏特(V)以上的水平,因此CCD還必須要有更精密的電源線路設(shè)計和耐壓強(qiáng)度,高驅(qū)動電壓使CCD的電量遠(yuǎn)高于CMOS。
盡管CCD在影像品質(zhì)等各方面均優(yōu)于CMOS,但不可否認(rèn)的CMOS具有低成本、低耗電以及高整合度的特性。由于數(shù)碼影像的需求熱烈,CMOS的低成本和穩(wěn)定供貨,成為廠商的最愛,也因此其制造技術(shù)不斷地改良更新,使得CCD與CMOS兩者的差異逐漸縮小。新一代的CCD朝向耗電量減少作為改進(jìn)目標(biāo),以期進(jìn)入照相手機(jī)的行動通訊市場;CMOS系列,則開始朝向大尺寸面積與高速影像處理晶片統(tǒng)合,藉由后續(xù)的影像處理修正噪點以及畫質(zhì)表現(xiàn),特別是Canon系列的EOSD30、EOS300D的成功,足見高速影像處理晶片已經(jīng)可以勝任高像素CMOS所產(chǎn)生的影像處理時間與能力的縮短;另外,大尺寸全片幅則以KodakDCSPro14n、DCSPro/n、DCSPro/c這一系列的數(shù)碼機(jī)身為號召,CMOS未來跨足高階的影像市場產(chǎn)品,前景可期。
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